Kursplan för Halvledarfysik - material och heterostrukturer

Kursplanen innehåller ändringar
Se ändringar

Kursplan fastställd 2017-02-18 av programansvarig (eller motsvarande).

Kursöversikt

  • Engelskt namnSemiconductor materials physics
  • KurskodFMI040
  • Omfattning7,5 Högskolepoäng
  • ÄgareMPNAT
  • UtbildningsnivåAvancerad nivå
  • HuvudområdeTeknisk fysik
  • InstitutionMIKROTEKNOLOGI OCH NANOVETENSKAP
  • BetygsskalaTH - Fem, Fyra, Tre, Underkänd

Kurstillfälle 1

  • Undervisningsspråk Engelska
  • Anmälningskod 18112
  • Max antal deltagare30
  • Blockschema
  • Sökbar för utbytesstudenterJa

Poängfördelning

0102 Tentamen 7,5 hp
Betygsskala: TH
0 hp0 hp0 hp7,5 hp0 hp0 hp
  • 04 Jun 2020 em J
  • 12 Okt 2019 fm M
  • 21 Aug 2020 em J

I program

Examinator

Gå till kurshemsidan (Öppnas i ny flik)

Behörighet

Information saknas

Särskild behörighet

För kurser på avancerad nivå gäller samma grundläggande och särskilda behörighetskrav som till det kursägande programmet. (När kursen är på avancerad nivå men ägs av ett grundnivåprogram gäller dock tillträdeskrav för avancerad nivå.)
Undantag från tillträdeskraven: Sökande med en programregistrering på ett program där kursen ingår i programplanen undantas från ovan krav.

Kursspecifika förkunskaper

Grundläggande kurs i fasta tillståndets fysik.

Syfte

Kursen är avsedd att ge en bred översikt av fältet men även en djup kunskap om halvledarmaterialens fysik och egenskaper hos olika typer av hetero- och kvantstrukturer. Även framställning (syntetisering) och karakterisering av halvledare och kvantstrukturer behandlas.

Lärandemål (efter fullgjord kurs ska studenten kunna)

- Förstå halvledarmaterial, viktiga upptäckter och deras inverkan på vårt samhälle.

Inhämta grundläggande kunskaper om elektroniska strukturer och klassificering av olika material t.ex. metaller, halvmetaller, grafen, halvledare, isolatorer, topologiska isolatorer.

- Kunna beskriva hur elektrons energidispersion påverkar elektronens massa och rörlighet samt elektrontransport.

- Förstå hur defekter och doping påverkar de elektroniska egenskaperna hos halvledare.

- Förstå och kunna tolka bandscheman för halvledarheterostrukturer.

- Förstå principerna för kvantmekaniska effekter i halvledarnanostrukturer.

- Beskriva metoder för enkelkristallväxt och epitaxi av halvledarmaterial.

- Känna till och förstå grunderna av hur 2D material, som t.ex. grafen, h-BN, MoS2, topologiska isolatorer och deras heterostrukturer, fungerar.

- Förstå och beskriva laddning och spinnpolariserad elektronisk transport i halvledare och nya 2D material.

Innehåll

Inledning: allmän kursinformation, historisk bakgrund, halvledare idag, framtidens material och nya fenomen.

Electron struktur: Kristallstruktur i halvledare, elektronisk energibandstruktur, klassificering  av material t.ex. metaller, halvmetaller, grafen, halvledare, isolatorer, topologiska isolatorer.

Elektrontransport: laddningstransport i halvledare, elektronisk effekt av föroreningar, laddningsspridning, diffusiv och ballistisk transport.

Halvledarytor, gränssnitt och heterostrukturer: metall-halvledar Schottky kontakter, halvledar-halvledarövergångar, halvledar-isolator gränssnitt.

Halvledarväxt och nanofabrikationsteknik och tillämpningar: Kristallväxt, epitaxiell växt, nanofabrikation, elektroniska och optoelektroniska komponenter.

Halvledarkvantstrukturer: Kvantbrunnar, -tråd och -punkt; Elektroniska och optiska egenskaper i kvantstrukturer.

Kvantkomponentfysik i halvledare: Coulomb blockad, kvantpunktkontakter, svag lokalisering, Aharonov-Bohm effekt, Shubnikov de Haas svängningar och Quantum Hall effekter.

Nya tvådimensionella (2D) material: Elektroniska och kvantmekaniska egenskaper i 2D-material t.ex. grafen, hexagonal bornitrid (h-BN), MoS2 och deras heterostrukturer.

Spinnpolariserad elektrontransport i halvledare: Introduktion till spinntronik, Spinnspridning och relaxationsprocesser i halvledare, spinntransport och dynamik i halvledare.

Spinnpolariserad elektrontransport i 2D heterostrukturer: Spinntransport i grafen, spinnpolariserad tunnling genom h-BN, spinn- och dalpolarisering i MoS2.

Topologiska isolatorer: Elektronisk bandstruktur hos topologiska isolatorer, spinnpolariserad ström i topologiska isolatorer.

Organisation

  • Föreläsningar.
  • Tre obligatoriska hemuppgifter.
  • Två obligatoriska laborationer.
  • Ett obligatoriskt projektarbete.

Litteratur

  1. Semiconductor physics and devices, Donald Neamen
  2. Spintronics: Fundamentals and applications
    Igor Zutić, Jaroslav Fabian, and S. Das Sarma
    Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004).
  3. Lecture notes and literature on 2D materials, Topological insulators and Spintronics

Examination inklusive obligatoriska moment

Skriftlig tentamen. Betygsskala: U, 3, 4, 5.

Kursplanen innehåller ändringar

  • Ändring gjord på tentamen:
    • 2019-09-04: Plats Plats ändrat från Johanneberg till M av grunnet
      [2019-10-12 7,5 hp, 0102]