Kursplan fastställd 2017-02-18 av programansvarig (eller motsvarande).
Kursöversikt
- Engelskt namnSemiconductor materials physics
- KurskodFMI040
- Omfattning7,5 Högskolepoäng
- ÄgareMPNAT
- UtbildningsnivåAvancerad nivå
- HuvudområdeTeknisk fysik
- InstitutionMIKROTEKNOLOGI OCH NANOVETENSKAP
- BetygsskalaTH - Mycket väl godkänd (5), Väl godkänd (4), Godkänd (3), Underkänd
Kurstillfälle 1
- Undervisningsspråk Engelska
- Anmälningskod 18121
- Max antal deltagare30
- Blockschema
- Sökbar för utbytesstudenterJa
Poängfördelning
Modul | LP1 | LP2 | LP3 | LP4 | Sommar | Ej LP | Tentamensdatum |
---|---|---|---|---|---|---|---|
0102 Tentamen 7,5 hp Betygsskala: TH | 7,5 hp |
|
I program
- MPAEM - MATERIALTEKNIK, MASTERPROGRAM, Årskurs 1 (valbar)
- MPNAT - NANOTEKNOLOGI, MASTERPROGRAM, Årskurs 1 (valbar)
- MPPHS - FYSIK, MASTERPROGRAM, Årskurs 1 (valbar)
Examinator
- Saroj Prasad Dash
- Biträdande professor, Kvantkomponentfysik, Mikroteknologi och nanovetenskap
Behörighet
Grundläggande behörighet för avancerad nivåSökande med en programregistrering på ett program där kursen ingår i programplanen undantas från ovan krav.
Särskild behörighet
Engelska 6Sökande med en programregistrering på ett program där kursen ingår i programplanen undantas från ovan krav.
Kursspecifika förkunskaper
Grundläggande kurs i fasta tillståndets fysik.
Syfte
Kursen är avsedd att ge en bred översikt av fältet men även en djup kunskap om halvledarmaterialens fysik och egenskaper hos olika typer av hetero- och kvantstrukturer. Även framställning (syntetisering) och karakterisering av halvledare och kvantstrukturer behandlas.
Lärandemål (efter fullgjord kurs ska studenten kunna)
- Förstå halvledarmaterial, viktiga upptäckter och deras inverkan på vårt samhälle.
- Inhämta grundläggande kunskaper om elektroniska strukturer och klassificering av olika material t.ex. metaller, halvmetaller, grafen, halvledare, isolatorer, topologiska isolatorer.
- Kunna beskriva hur elektrons energidispersion påverkar elektronens massa och rörlighet samt elektrontransport.
- Förstå hur defekter och doping påverkar de elektroniska egenskaperna hos halvledare.
- Förstå och kunna tolka bandscheman för halvledarheterostrukturer.
- Förstå principerna för kvantmekaniska effekter i halvledarnanostrukturer.
- Beskriva metoder för enkelkristallväxt och epitaxi av halvledarmaterial.
- Känna till och förstå grunderna av hur 2D material, som t.ex. grafen, h-BN, MoS2, topologiska isolatorer och deras heterostrukturer, fungerar.
- Förstå och beskriva laddning och spinnpolariserad elektronisk transport i halvledare och nya 2D material.
Innehåll
Inledning: allmän kursinformation, historisk bakgrund, halvledare idag, framtidens material och nya fenomen.
Electron struktur: Kristallstruktur i halvledare, elektronisk energibandstruktur, klassificering av material t.ex. metaller, halvmetaller, grafen, halvledare, isolatorer, topologiska isolatorer.
Elektrontransport: laddningstransport i halvledare, elektronisk effekt av föroreningar, laddningsspridning, diffusiv och ballistisk transport.
Halvledarytor, gränssnitt och heterostrukturer: metall-halvledar Schottky kontakter, halvledar-halvledarövergångar, halvledar-isolator gränssnitt.
Halvledarväxt och nanofabrikationsteknik och tillämpningar: Kristallväxt, epitaxiell växt, nanofabrikation, elektroniska och optoelektroniska komponenter.
Halvledarkvantstrukturer: Kvantbrunnar, -tråd och -punkt; Elektroniska och optiska egenskaper i kvantstrukturer.
Kvantkomponentfysik i halvledare: Coulomb blockad, kvantpunktkontakter, svag lokalisering, Aharonov-Bohm effekt, Shubnikov de Haas svängningar och Quantum Hall effekter.
Nya tvådimensionella (2D) material: Elektroniska och kvantmekaniska egenskaper i 2D-material t.ex. grafen, hexagonal bornitrid (h-BN), MoS2 och deras heterostrukturer.
Spinnpolariserad elektrontransport i halvledare: Introduktion till spinntronik, Spinnspridning och relaxationsprocesser i halvledare, spinntransport och dynamik i halvledare.
Spinnpolariserad elektrontransport i 2D heterostrukturer: Spinntransport i grafen, spinnpolariserad tunnling genom h-BN, spinn- och dalpolarisering i MoS2.
Topologiska isolatorer: Elektronisk bandstruktur hos topologiska isolatorer, spinnpolariserad ström i topologiska isolatorer.
Organisation
- Föreläsningar.
- Tre obligatoriska hemuppgifter.
- Två obligatoriska laborationer.
- Ett obligatoriskt projektarbete.
Litteratur
- Semiconductor physics and devices, Donald Neamen
- Spintronics: Fundamentals and applications
Igor Zutić, Jaroslav Fabian, and S. Das Sarma
Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004). - Lecture notes and literature on 2D materials, Topological insulators and Spintronics
Examination inklusive obligatoriska moment
Skriftlig tentamen. Betygsskala: U, 3, 4, 5.