GaN- baserad elektronik för framtidens mikrovågssystem

I framtidens kommunikations, sensor, och radar system finns det ett behov att generera effekter vid höga frekvenser. GaN- baserad elektronik är en lösning som kan lösa denna svårighet. För att bibehålla svensk mikrovågsindustris konkurrenskraft behövs fortsatt forskning för att kunna utvärdera GaNs möjligheter och begränsningar. Denna forskning bör ha fokus på material växt och karakterisering, felmekanismer både på material och komponentnivå, komponent- och kretsdesign, tillverkning, karakterisering, modellering, och system integration. Syftet med detta projekt är att undersöka potentialen för III-N i mikrovågssystem över 100 GHz. För att detta ska kunna utföras skall avancerad GaN heterostrukturer utvärderas, undersöka nya device koncept för frekvensgenerering och detektion, samtdesigna, tillverka, karakteriser avancerade GaN-komponenter och kretsar. De övergripande målen är: 1. Epitaxiell växt av avancerade III-N heterostrukturer med förbättrade elektrontransport egenskaper. 2. Design och tillverkning av transistorer, som kan leverera 500 mW vid 120 GHz 3. Demonstration av III-N-baserad MMIC med en operationsfrekvens på 120 GHz

Startdatum 2011-03-01
Slutdatum Projektet är avslutat: 2016-06-30

Publicerad: to 31 maj 2018.