Karakterisering och modellering av lagerströmsaktivitet

​Förtida fel hos lager i den elektriska drivlinan började öka under tidigt 1990-tal på grund av introduktionen av IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Omvandlarens moduleringsschema, i kombination med hög spänningsderivata, skapar en högfrekvent spänning på axeln vilket medför att en ström går genom lagret. Tillsammans med urladdning av energin som lagrats i strökapacitanser orsakar detta i skador på lagret i form av mikrokratrar på kulorna i lagret samt räfflor på löpbanorna. Det övergripande målet med projektet är att öka förståelsen av hur lagerströmmar initieras i lagret då en axelspänning finns samt vilka skador dessa strömmar orsakar. Projektet har experimentellt undersökt och modellerat det elektriska beteendet och egenskaperna hos ett lager vid olika driftsförhållanden.

Publicerad: on 03 feb 2016. Ändrad: on 03 feb 2016